受日本出臺半導體出口管制措施影響,今日半導體設(shè)備、光刻膠、存儲芯片等板塊表現(xiàn)不錯。
截至發(fā)稿,光刻膠板塊,容大感光20CM漲停,格林達漲停,南大光電、晶瑞電材漲超8%。
【資料圖】
半導體設(shè)備板塊,富樂德20CM漲停,耐科裝備、華海清科漲超8%,盛美上海、芯源微、長川科技、拓荊科技等跟漲。
存儲芯片板塊,朗科科技觸及20CM漲停,萬潤科技、睿能科技、恒爍股份漲停,大為股份、江波龍漲超6%。
日本限制半導體設(shè)備出口
5月23日,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省發(fā)布省令,正式出臺針對23種半導體制造設(shè)備(或物項)的出口管制措施,并將于7月23日開始實施。
雖然該管制措施并未把中國等指定為限制對象,但追加的23個品類除了向友好國等42個國家和地區(qū)出口外,均需要單獨得到批準。事實上,這意味著這些品類很難向中國等國家出口。
23個品類包括清洗、熱處理、蝕刻等設(shè)備,以及極紫外(EUV)相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備和三維堆疊存儲器的蝕刻設(shè)備等。按運算用邏輯半導體的性能來看,均屬于制造10-14納米以下的尖端產(chǎn)品所需設(shè)備。
據(jù)中信證券梳理,23種半導體制造設(shè)備(或物項)主要包括:
1)光刻(4項):ArF浸沒式光刻機、用于EUV光刻的涂膠顯影設(shè)備、用于EUV光刻的光罩護膜(清單中唯一一種非設(shè)備品種,用于EUV光罩的配套)及其生產(chǎn)設(shè)備。其中EUV光刻機(僅荷蘭ASML提供)的采購國內(nèi)長期受限,日本限制EUV配套產(chǎn)品沒有實質(zhì)影響,而ArF浸沒式光刻機日本尼康有相關(guān)產(chǎn)品,未來需觀察許可實際發(fā)放情況。
2)刻蝕(3項):高深寬比刻蝕、硅鍺刻蝕等。
3)薄膜沉積(11項):用于鈷、鎢、鉬、釕等金屬薄膜、Contact層、Low-k等介質(zhì)、掩膜版、硅和硅鍺外延等沉積的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉積設(shè)備。
4)熱處理(1項):用于銅、鈷、鎢的低壓退火設(shè)備。
5)清洗(3項):銅膜清洗、干法清洗、晶圓改性后干燥的單片濕法清洗。
6)檢測(1項):EUV光刻掩膜版檢測設(shè)備。
其實早在今年3月,就有日本限制半導體出口的消息,如今算是正式落地了。
3月31日,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔宣布,日本將修訂出口管制令,包括先進的半導體制造設(shè)備在內(nèi)的23種物品將被列入受出口管制的物品清單。
再加上此前荷蘭限制高端光刻機出口,可以說,自主安全對于中國半導體行業(yè)來說越發(fā)重要,國產(chǎn)替代勢在必行。
此外,日前,國家網(wǎng)信辦發(fā)布公告,美光在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡安全審查。按照《網(wǎng)絡安全法》等法律法規(guī),我國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。這在一定程度上也加速存儲芯片國產(chǎn)化。
國產(chǎn)替代加速
對于日本本次出臺的政策,中信證券認為,本次出口限制主要針對先進半導體制造,否則若日本對華成熟芯片相關(guān)的半導體設(shè)備也實際施加限制,則將會影響日本相關(guān)設(shè)備公司的營收,長期削弱日本在半導體設(shè)備領(lǐng)域的份額優(yōu)勢,同時中國本土技術(shù)生態(tài)鏈有望在重壓下加速本土替代。
從產(chǎn)業(yè)安全角度,中信證券建議,重點關(guān)注設(shè)備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”環(huán)節(jié),有望獲得政策推動。短期來看,建議關(guān)注日本及荷蘭廠商占有領(lǐng)先地位的、并能夠?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代的設(shè)備/材料環(huán)節(jié);長期來看,建議關(guān)注受益國產(chǎn)替代加速的設(shè)備、零部件、材料、高端芯片等各環(huán)節(jié)的相關(guān)公司。
1)半導體設(shè)備/零部件:芯源微、中微公司、拓荊科技、北方華創(chuàng)、富創(chuàng)精密、盛美上海、華海清科、精測電子、至純科技、華峰測控、長川科技等;
2)封測:長電科技、通富微電、甬矽電子、華天科技等;
3)高端芯片:龍芯中科、海光信息、寒武紀、景嘉微等;
4)制造:中芯國際(A/H)、華虹半導體(H)等。
浙商證券認為,半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控是長期主線,設(shè)備及零部件國產(chǎn)替代迎來加速期,并預計今年半導體行業(yè)資本開支上行,設(shè)備訂單有望超市場預期,國產(chǎn)設(shè)備獲得大規(guī)模驗證機會,國產(chǎn)化率有望加速提升。建議關(guān)注美日荷占據(jù)領(lǐng)先地位且國產(chǎn)化率較低的環(huán)節(jié),如涂膠顯影、原子層沉積、離子注入、量測設(shè)備等。
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